MISFET ni nini?

Element msingi wa vifaa semiconductor inaendelea kukua. Kila uvumbuzi mpya katika uwanja, kwa kweli, wazo la kubadilisha mifumo yote ya elektroniki. Kubadilisha uwezo mzunguko kubuni katika kubuni vifaa vipya kuonekana kwenye yao. Tangu uvumbuzi wa transistor kwanza (1948 g) ilipitishwa muda mrefu. Ilizuliwa muundo "PNP" na "NPN", transistors bipolar. Baada ya muda inaonekana MIS transistor, uendeshaji kanuni ya mabadiliko katika conductivity umeme ya uso semiconductor safu chini ya ushawishi wa shamba la umeme. Hivyo jina lingine la kipengele hii - shamba.

TIR abbreviation yenyewe (chuma kizio-semiconductor) ni sifa ya muundo wa ndani wa vifaa hii. Na kwa kweli, shutter ni pekee kutoka chanzo na kukimbia na safu nyembamba zisizo conductive. Kisasa MIS transistor ina mlango urefu wa 0.6 microns. Kupitia tu kupita shamba umeme - kwamba unaathiri hali ya umeme ya semiconductor.

Hebu angalia jinsi uwanja-athari transistor, na kujua nini tofauti kuu kutoka bipolar "ndugu." Wakati uwezo muhimu katika lango lake kuna uwanja umeme. Unaathiri upinzani wa makutano chanzo-unyevu makutano. Hapa ni baadhi ya faida za kutumia kifaa hiki.

• Katika wazi hali ya mpito ya upinzani njia kukimbia chanzo ni ndogo sana, na MIS transistor imekuwa mafanikio kutumika kama ufunguo elektroniki. Kwa mfano, inaweza kudhibiti amplifier uendeshaji, bypassing mzigo au ya kushiriki katika mzunguko mantiki.
• Eneo lingine lenye kumbuka na juu ya pembejeo impedance ya kifaa. Fursa hii ni muhimu kabisa wakati wa kufanya kazi katika mizunguko ya chini-voltage.
• Uwezo mdogo kukimbia chanzo cha mpito inaruhusu MIS transistor katika vifaa high-frequency. Chini hakuna kuvuruga hutokea wakati maambukizi ishara.
• Maendeleo ya teknolojia mpya katika uzalishaji wa mambo ulisababisha kuundwa kwa IGBT-transistors, ambayo kuchanganya sifa chanya ya shamba na seli bipolar. Power modules msingi wao ni sana kutumika katika starters laini na converters frequency.

Katika kubuni na uendeshaji wa vipengele hivi ni lazima zichukuliwe katika akaunti hiyo MIS transistors ni nyeti sana kwa juu-voltage katika mzunguko na umeme tuli. Hiyo ni, kifaa inaweza kuharibiwa kama wewe kugusa vituo kudhibiti. Wakati kufunga au kuondoa matumizi kutuliza maalum.

Matarajio ya matumizi ya kifaa hiki ni nzuri sana. Kutokana na tabia yake ya kipekee, ni sana kutumika katika vifaa vya mbalimbali za elektroniki. Nya maelekezo katika vifaa vya umeme wa kisasa ni matumizi ya nguvu IGBT-modules kwa ajili ya operesheni katika mizunguko mbalimbali, ikiwa ni pamoja na, na mafunzo.

teknolojia ya uzalishaji wao ni daima kuwa bora. Nafasi yake ya maendeleo kwa ajili ya kuongeza (kupunguza) mlango urefu. Hii kuboresha vigezo utendaji tayari nzuri ya kifaa.